SRAM+E2PROM存儲(chǔ)卡。
RAM容量：256KB。
E2PROM容量：256KB。輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
可以用CF卡。
OS：VxWorks Version 5.4。
只需插入SD存儲(chǔ)卡，即可自動(dòng)記錄。
只需在CPU中插入保存了記錄設(shè)定文件的SD存儲(chǔ)卡，即可自動(dòng)開(kāi)始記錄。
即使在需要進(jìn)行遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)收集時(shí)，
通過(guò)郵件接收記錄設(shè)定文件并將其到SD存儲(chǔ)卡中后，
即可立即開(kāi)始記錄QD60P8-G
自動(dòng)將記錄文件傳輸?shù)紽TP服務(wù)器
只需通過(guò)記錄配置工具進(jìn)行簡(jiǎn)單的設(shè)置，
便可將存儲(chǔ)在SD存儲(chǔ)卡上的數(shù)據(jù)記錄文件發(fā)送到FTP服務(wù)器。
由于記錄服務(wù)器可處理多個(gè)文件，因此可減少管理和維護(hù)任務(wù)。
發(fā)生故障時(shí)也能夠迅速應(yīng)對(duì)。
只需提取與問(wèn)題相關(guān)的數(shù)據(jù)，不必花時(shí)間過(guò)濾大量的診斷數(shù)據(jù)，
因此可快速確定故障原因，并制定解決方案。繼電器輸出：32點(diǎn)。
額定電流電壓：DC24V/AC240V，2A/1點(diǎn)，5A/1公共端，8點(diǎn)1公共端。
外部接線連接方式：38點(diǎn)端子臺(tái)（端子臺(tái)另售）。
替換型號(hào)：AY13。輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
輸入輸出軟元件點(diǎn)數(shù)：8192點(diǎn)。
程序容量：40K步。
基本運(yùn)處理速度（LD指令）：1.9ns。
程序內(nèi)存容量：160KB。
外圍設(shè)備連接端口：USB、以太網(wǎng)（通信協(xié)義支持功能）。
存儲(chǔ)卡I/F：SD存儲(chǔ)卡、擴(kuò)展SRAM卡。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無(wú)法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量多可達(dá)4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程。
因此，即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足，
也可通過(guò)安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對(duì)結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。
支持USB和RS232。

支持安裝記憶卡。

多CPU之間提供高速通信。
縮短了固定掃描中斷時(shí)間，裝置化。
固定周期中斷程序的小間隔縮減至100μs。
可準(zhǔn)確獲取高速信號(hào)，為裝置的更加化作出貢獻(xiàn)。
通過(guò)多CPU進(jìn)行高速、機(jī)器控制。
通過(guò)順控程序的直線和多CPU間高速通信（周期為0.88ms）的并列處理，實(shí)現(xiàn)高速控制。
多CPU間高速通信周期與運(yùn)動(dòng)控制同步，因此可實(shí)現(xiàn)運(yùn)算效率大化。
此外，新的運(yùn)動(dòng)控制CPU在性能上是先前型號(hào)的2倍，
確保了高速、的機(jī)器控制。