SRAM存儲卡。
RAM容量：64KB。應用：Q系列用。
適合安全標準：EN954-1類別4，ISO13849-1 PLe。
安全輸入點數：1點。
增設臺數：增設用安全繼電器模塊多3臺。
使用專用設定工具直觀地進行配置。
構成設定使用豐富的組件可輕松、快捷地設定硬件構成。
創建邏輯對于安全設備，通過使用自動生成的標簽的FB可以方便地創建邏輯Q02UCPU
邏輯的導入和導出。
可以只把對輸入輸出模塊的連接設定和通過功能塊創建的應用邏輯作為一個設定文件進行存儲，
或者從已保存設定文件進行讀取。串行ABS同步編碼器輸入可使用臺數：2臺/個模塊。
位置檢測方式：編對值（ABS）方式。
傳輸方式：串行通信。
允許跟蹤目標輸入點數：2點。
方便處理大容量數據。
以往無法實現標準RAM和SRAM卡文件寄存器區域的連續存取，
在編程時需要考慮各區域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標準RAM作為一個連續的文件寄存器，
容量多可達4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區域。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可越了傳統的32K字，
并實現變址修飾擴展到文件寄存器的所有區域。
另外，變址修飾的處理速度對結構化數據（陣列）的運算起著重要作用，
該速度現已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。容量：32M字節。
更好的用戶體驗數據記錄功能。
記錄方便，無需程序。
只需通過專門的配置工具向導輕松完成設置，
便可將收集的數據以CSV格式保存到SD存儲卡。
可有效利用已保存的CSV文件方便地創建各種參考資料，
包括日常報告、生成報表及一般報告。
這些資料可應用于啟動時的數據分析、追溯等。
只需插入SD存儲卡，即可自動記錄。
只需在CPU中插入保存了記錄設定文件的SD存儲卡，即可自動開始記錄。
即使在需要進行遠程數據收集時，
通過郵件接收記錄設定文件并將其到SD存儲卡中后，
即可立即開始記錄。測量項目：漏電流（Io）、阻性漏電流（Ior）。
測量電路數：2個電路。
測量泄漏電流的緣監視模塊。
可對漏電流進行測量，以確保安全通過監視漏電流（Io），可檢測出觸電危險。
可連續不間斷地監視設備的緣狀態 測量阻性漏電流（Ior），
以便不間斷地監視設備的緣老化狀況。
可對每個測量項目進行2階段的報視可分別對漏電流（ Io）、阻性漏電流（Ior）進行2階段的報視，
無需梯形圖程序。報視分為注意報警和危險報警2階段。
一個模塊可測量兩個電路 一個模塊可對同一系統中相同相線式電源的兩個電路進行測量。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版或更高版本），輕松地設置參數。
［測量項目］漏電流（ Io）、阻性漏電流（ Ior）。