輸入輸出點數(shù)：256點。
輸入輸出元件數(shù)：8192點。
程序容量：10 K步。
處理速度：0.12 μs。
程序存儲器容量：40 KB。
支持USB和RS232。
不能安裝記憶卡。
自帶底板5個槽位。
高速處理，生產(chǎn)時間縮短，更好的性能。
隨著應(yīng)用程序變得更大更復(fù)雜，縮短系統(tǒng)運行周期時間是非常必要的QD75MH2
通過高的基本運算處理速度1.9ns，可縮短運行周期。
除了可以實現(xiàn)以往與單片機(jī)控制相聯(lián)系的高速控制以外，
還可通過減少總掃描時間，提高系統(tǒng)性能，
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差。
高速、數(shù)據(jù)處理。
實數(shù)(浮點)運算的處理速度實現(xiàn)了大幅度提高，
加法指令達(dá)到了0.014μs，
因此可支持要求高速、的加工數(shù)據(jù)等的運算處理。
此外，還新增加了雙精度浮點運算指令，
簡化了編程，降低了執(zhí)行復(fù)雜算式時的運算誤差?？刂戚S數(shù)：大32軸。
示教運行功能：有（使用SV13時）。
在位置停止可實現(xiàn)速度控制功能。
伺服電機(jī)可以以預(yù)先設(shè)定的速度旋轉(zhuǎn)，
在啟動位置停止指令后，
即可在事先設(shè)定的位置停止。
在操作運行時不僅可以通過更改選項值來更改速度，
還可以更改加速/減速時間。
相位補(bǔ)償功能。
虛模式及實模式的混合功能。
平滑離合器線性加速/減速功能。三相3線式。
測量電路數(shù)：4個電路。
測量項目：耗電量（消耗、再生）、電流、電壓、功率、功率因素等。
可簡單地測量多種能量信息的電能測量模塊產(chǎn)品群。
僅用一個模塊，即可測量與電量（消耗及再生）、無功電量、電流、電壓、功率、功率因數(shù)以及頻率有關(guān)的各種詳細(xì)信息。
無需梯形圖程序即可持續(xù)監(jiān)視小值和大值，亦可執(zhí)行2種類型的上限/下限報警。
只有在ON狀態(tài)期間，才可測量輸出設(shè)備所使用的電量。
因此可獲得設(shè)備運行期間的電量以及節(jié)拍單位內(nèi)的電量。
在一個插槽中使用3相3線式產(chǎn)品多可測量4個電路，
使用3相4線式產(chǎn)品多可測量3個電路，
因此通過多電路型產(chǎn)品可在較小空間中實施電能測量。
例如，可使用一個模塊測量來自控制面板干線的其他負(fù)載。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版和更高版本），輕松地設(shè)置參數(shù)。輸入點數(shù)：伺服外部信號32點，8軸。
輸入方式：源型/漏型。
輸入輸出占用點數(shù)：32點。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器，
容量多可達(dá)4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地擴(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的運算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。