SRAM存儲(chǔ)器卡，容量：4M字節(jié)。
尺寸：74*42.8*8.1mm
重量：15g。
支持SD存儲(chǔ)卡。
高速通用型QCPU支持SD存儲(chǔ)卡，
從而能夠與有SD存儲(chǔ)卡插口的PC之間輕松地實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)交換。
另外、可同時(shí)使用SD存儲(chǔ)卡和擴(kuò)展SRAM卡。
因此，可利用擴(kuò)展SRAM卡擴(kuò)展文件寄存器，
可利用SD存儲(chǔ)卡同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)文件記錄、大量注釋數(shù)據(jù)保存、通過存儲(chǔ)卡進(jìn)行引導(dǎo)運(yùn)行QD75P1
更好的用戶體驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄功能。
記錄方便，無需程序。
只需通過專門的配置工具向?qū)лp松完成設(shè)置，
便可將收集的數(shù)據(jù)以CSV格式保存到SD存儲(chǔ)卡。
可有效利用已保存的CSV文件方便地創(chuàng)建各種參考資料，
包括日常報(bào)告、生成報(bào)表及一般報(bào)告。
這些資料可應(yīng)用于啟動(dòng)時(shí)的數(shù)據(jù)分析、追溯等。
毫無遺漏地記錄控制數(shù)據(jù)的變動(dòng)
可在每次順序掃描期間或者在毫秒時(shí)間間隔內(nèi)收集數(shù)據(jù)，
毫無遺漏地記錄的控制數(shù)據(jù)的變動(dòng)。
因此，在發(fā)生故障時(shí)，可快速確定原因，進(jìn)行的動(dòng)作分析。輸出：4通道。
輸入（分辨率）：0~4000；-4000~4000；0~12000；-12000~12000；-16000~16000。
輸出：DC-100~20V；DC0~20mA。
轉(zhuǎn)換速度：80μs/1通道。
18點(diǎn)端子臺(tái)。
可滿足變頻器控制等高速轉(zhuǎn)換需求。
具有卓越性能的各種模塊,
滿足從模擬量到定位的各種控制需求。
Q系列模塊產(chǎn)品包括種類豐富的各種I/O、模擬量和定位功能模塊。
可地滿足開關(guān)、傳感器等的輸入輸出，溫度、重量、流量和電機(jī)、驅(qū)動(dòng)器的控制，
以及要求控制的定位等各行業(yè)、各領(lǐng)域的控制需求。
還可與CPU模塊組合使用，實(shí)現(xiàn)恰如其分的控制。
電源與輸出之間變壓器隔離。
高緣強(qiáng)度耐壓。
可隔離電氣干擾，例如電流和噪音等。
標(biāo)準(zhǔn)型模擬量輸入模塊。
隔離型模擬量輸入模塊。
無需外部隔離放大器。
不使用通道間隔離型模擬量模塊時(shí)。
使用了通道間隔離型模擬量模塊時(shí)。
以智能功能拓展控制的可能性。
提供各種模擬量模塊，是應(yīng)用于過程控制應(yīng)用的理想選擇。
也可滿足高速、控制需求。
適合用于要求高速轉(zhuǎn)換控制領(lǐng)域的模擬量模塊。
可提供多種模數(shù)和數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊產(chǎn)品。
這些模塊功能多樣，在連接設(shè)備時(shí)，實(shí)現(xiàn)了大的靈活性。輸入：4通道。
熱電偶(K、J、T、B、S、E、R、N、U、L、PLlI、W5Re/W26Re)。
無加熱器斷線檢測(cè)功能。
采樣周期：0.5s/4通道。
18點(diǎn)端子臺(tái)。
可靈活進(jìn)行各種設(shè)置，實(shí)現(xiàn)佳溫度控制的溫度調(diào)節(jié)模塊。
針對(duì)擠壓成型機(jī)等溫度控制穩(wěn)定性要求高的設(shè)備，
溫度調(diào)節(jié)模塊具有防過熱和防過冷的功能。
可根據(jù)控制對(duì)象設(shè)備，選擇標(biāo)準(zhǔn)控制（加熱或冷卻）或加熱冷卻控制（加熱和冷卻）模式。
此外，也可選擇混合控制模式（結(jié)合了標(biāo)準(zhǔn)控制和加熱-冷卻控制）。
尖峰電流功能。
可防止同時(shí)打開輸出以控制尖峰電流，有助于節(jié)能及降低運(yùn)行成本。
同時(shí)升溫功能。
使多個(gè)回路同時(shí)達(dá)到設(shè)置值，以進(jìn)行均勻的溫度控制，
有助于防止空載并有效節(jié)能及降低運(yùn)行成本。
自動(dòng)調(diào)整功能。
可在控制過程中自動(dòng)調(diào)節(jié)PID常數(shù)。
可降低自動(dòng)調(diào)整成本（時(shí)間、材料和電能）。